返回研究团队开发的TMD将是半导体进步的未来

TMD 是一种最先进的半导体，由硫 (S)、硒 (Se) 和碲 (Te) 等硫属元素分子以及过渡金属制成。

近日，基础科学研究所(IBS)表示，韩国多维碳材料(CMCM)中心冯丁和研究团队已经找到了干扰大面积单晶二硫化物增强的真正标准。与来自中国的团队合作，专家们成功释放了核心二硫化钨(WS2)等核心二硫化物材料，作为晶圆级单晶过渡金属二硫化物(TMD)。引用全球经济 ANI 报道称，TMD 是一种最先进的半导体，由硫 (S)、硒 (Se) 和碲 (Te) 等硫属元素分子以及过渡金属制成。

由于在 TMD 的外围而不是中心存在结构对称点，因此在半导体制造过程中选择衬底变得非常复杂。在这份研究报告中，专家和研究人员团队展示了为 TMD 选择优化底层物质的原理，并将其称为双耦合引导外延生长方法。

还发现对于基本上像两个反向平行结构的二硫化钨(WS2)，在衬底上的台阶边缘处形成的所有WS2可以使用蓝宝石衬底绝缘体以单一方向排列。而且，在台阶的边缘，晶粒稳定地生长，然后与衬底的大小相似，它可以制作出大面积的单晶。

在大面积的 2 英寸晶圆规模内，整个研究小组还成功地推出了二硫化钼 (MoS2)、二硒化钨 (WSe2) 和二硒化钼 (MoSe2) 等 TMD。该研究的结果已被评估为加快即将到来的半导体材料商业化的势头，该结果已在纳米科学《自然技术》的权威期刊上进行了报道。事实上，几个月前 SK 海力士和三星已经在一周前向美国商务部提供了半导体库存数据和销售数据。